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闪迪发布旗下首款UFS2.1闪存 连续写入最高600BM/

发布时间:2018-05-30 13:00来源:http://www.upan3.com 作者:u盘精灵 点击:
原标题:闪迪发布旗下首款UFS2.1闪存 连续写入最高600BM/S 2017年12月5日,闪迪闪存

原标题:闪迪发布旗下首款UFS2.1闪存 连续写入最高600BM/S

2017年12月5日,闪迪闪存发布了旗下新一代iNAND嵌入式闪存芯片,什么是u盘量产,其中包含了UFS和eMMC两种标准的嵌入式闪存芯片。

根据闪迪的官方介绍,这两款芯片都采用了闪迪的64层3D堆叠技术,其中型号为iNAND 8521为UFS2.1闪存,而iNAND 7550则是eMMC闪存。iNAND 8521的连续写入速度高达600MB/S,随机读取速度则是比上一代的iNAND 7232快了10倍。iNAND 7550的连续写入速度260MB/S。闪迪表示这两款芯片都已经交付工厂进行样品生产,u盘启动盘 win0,两者的最高容量版本为256GB。

巧合的是,在同一天,三星官方也宣布旗下的512GB eUFS2.1闪存已经进入了量产阶段。相比之下,三星的这个512GB闪存在性能上要比闪迪今天公布的强不少,三星表示,这个512GB eUFS闪存的速度是此前48层V-NAND 256GB eUFS的两倍之多,它的顺序读取速度为860MB/S,顺序写入速度为255MB/S,随机4K读取速度为42,000 IOPS,随机4K写入速度为40,000 IOPS。

闪迪发布旗下首款UFS2.1闪存  连续写入最高600BM/S

 

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