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三星开始量产16Gb GDDR6内存芯片:10nm工艺/功耗降低35%

发布时间:2018-08-04 16:08来源:u盘启动 作者:Blinkfox哥 点击:
三星开始量产16Gb GDDR6内存芯片:10nm工艺/功耗降低35%,

第1页三星开始量产16Gb GDDR6内存芯片:10nm工艺/功耗降低35%

(原标题:三星开始量产16Gb GDDR6内存芯片:10nm工艺/功耗降低35%)

去年12月,三星电子宣布开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片8Gb DDR4芯片。近日,三星再次宣布16Gb DDR6 RAM芯片也已经开始大规模量产。

据介绍,这款三星16Gb DDR6 RAM芯片数据传输速度达72GB/s,几乎两倍于8Gb GDDR5 RAM芯片;同时,功耗也下降了约35%,制造生产率还上涨了30%,这意味着,同样时间内生产线将有望产出更多的16Gb DDR6 RAM芯片。

三星电子方面表示,相比于第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%,有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且,第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%,bios设置u盘启动联想,功耗降低15%。同时,阵脚带宽3600Mbps起,也比1x-nm时代的DDR-3200进步。

三星开始量产16Gb GDDR6内存芯片:10nm工艺/功耗降低35%

三星开始量产16Gb GDDR6内存芯片:10nm工艺/功耗降低35%

三星称,16Gb DDR6 RAM芯片同样基于10nm工艺制程打造,而且功耗也变得更低,将会在先期上市的下一代显卡、显示系统中扮演至关重要的角色。


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