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安装系统u盘启动不了三星3D垂直NAND闪存量产 SSD容量可轻松提升

发布时间:2019-01-11 14:42来源:u盘启动盘制作工具 作者:张伟霖技术员 点击:
三星3D垂直NAND闪存量产 SSD容量可轻松提升

而3D V-NAND闪存的"几何学"就是,通过在垂直方向寻求空间,来弥补这个问题。第一个变化就是捕获电荷陷阱的闪存几何学,由AMD公司在2002年首创。在一个闪存单元的电荷陷阱内,存储的电荷并不在浮栅上,而是处于一个嵌入式的氮化硅薄膜上。这种薄膜具有更强的抗点缺陷能力。它也可以被做得很厚,存储更多的电子,从而对少量的电子损失不那么敏感。

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三星公司现在已经开始为企业级用户提供V-NAND固态硬盘的少部分产品,两种容量分别为480GB及960GB,在写入速度上已经比该公司早期的SM843T型980GB固态硬盘提升了20%,而另一方面在功耗上则减少了40%。更重要的是,最新的3D垂直式存储驱动的使用耐久度已经达到了SM843T的10倍有余,而能够满足上一代SSD固态硬盘所无法应对的新类型应用,完全实现之前从来不可能实现的目标。不过目前依然还没有任何全新3D垂直面向大众消费市场的上市时间及价格消息。

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来源:gizmag、samsung

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第二个变化,就是把一个平面的电荷陷阱单元,做成圆柱形(如上图所示)。增长的一大排V-NAND单元(本例中为1 vertical stack / 8cell)开始形成一个交变堆栈,导电(掺杂)了多晶硅曾(红色区域)和中空的二氧化硅层(蓝色区域)。

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闪存技术可以说是21世纪以来最伟大的奇迹故事之一。虽然早在1980年就已经问世,但是在十多年之后才被正式投放到市场中,u盘教程,当时的闪存存储密度只有20MB。现在经过了20多年的发展,闪存技术已经多次提升甚至超越了摩尔定律的限制,容量已经达到了最初时的3万多倍。

下一步则是腐蚀或形成一个通过这些曾的圆柱形孔。在实践中,一个128Gbit的24层V-NAND芯片,其存储单元的形成需要29亿个这样的孔。然后沉积出一个二氧化硅的保形层,罩住这些孔的内表面;随之是一个类似的氮化硅层,以及第二个二氧化硅层。氮化硅是电荷俘获层,二氧化硅层则是门和隧道介质。最后,孔的中心会被填满导电的掺杂多晶硅,以形成存储cell的通道。

腾讯数码讯(编译:郑双艳)韩国三星公司刚刚宣布旗下的最新一代采用3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器已经开始进行量产。最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比,具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。虽然目前3D芯片所能提供的存储密度仍与传统的2D芯片结构相同,但是当在2D结构发展停滞时,完全可以依靠3D结构就能提供更多数量级的额外存储密度。

三星3D垂直NAND闪存量产 SSD容量可轻松提升

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最新的NAND闪存采用了10纳米的的光刻工艺,并且开始遇到一些物理上的麻烦。一个NAND闪存,就是一个浮栅晶体管(floating-gate transistor),而一个绝缘栅层能够存储电荷很长的时间。而存储器的读取,则是通过门控脉冲测量设备通道的导通性来实现的。如果没有存储电荷,u盘量产后容量变小恢复,存储单元就会给出一个响应;而如果存储了电荷,它就不会给出响应,从而允许非破坏性地数据读取。但在制造较小尺寸的NAND闪存方面,至少面临着两种困难。首先,每个门只持有少数的电子,因此会导致其状态很难被区分。其次,控制电极是如此之小(紧密),以至于分布其上的存储单元会受到影响,最终导致不可靠的数据读写。

 

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本文关键词: 闪存
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