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u盘量产cdromSanDisk推新技术支持64GB单内存芯片

发布时间:2018-11-25 19:03来源:u盘装系统 作者:Blinkfox哥 点击:
该项突破性科技采用43纳米技术,支持64GB单内存芯片,以业界最高的内存容量满足日新月异的内存应用程序。该X4 内

在今年的今天在2009国际固态电路大会(ISSCC)上,芯邦u盘量产教程,全球领先闪存供货商SanDisk宣布即将大量生产基于领先业界的多层单元 (Multi-Level Cell,简称MLC) 科技的全球首项高效能4-bits-per-cell (X4) 闪存。

SanDisk研发了多项先进系统管理的创新应用程序,以解决4-bits-per-cell的复杂技术所带来的问题。由SanDisk研发及拥有的X4控制器,利用首个专为储存系统而设的纠错码 (error correcting code,简称ECC) ,并支持4-bits-per-cell所需的16层分配模式。

该项突破性科技采用43纳米技术,支持64GB单内存芯片,以业界最高的内存容量满足日新月异的内存应用程序。另外,SanDisk生产了全新的X4控制器,从而对X4 内存复杂性及性能表现进行必要及有效的管理。 该X4 内存芯片及X4控制器芯片,共同结合于多芯片内存模块(Memory Multi-Chip Package,简称MCP)内,提供全面、 整合及低成本的内存方案。

SanDisk一直与东芝公司合作发展及生产先进的闪存,本次还共同在43 纳米技术上研发出了64GB X4闪存技术。全新的43nm 64GB X4芯片是世上容量最高及密度最大的闪存模块,并于今年投入生产;对比现代的多层式芯片技术,43nm 64GB X4芯片写入速度提升至每秒7.8MB。SanDisk专利All –Bit-Line (简称ABL) 架构及最近面世的三步程序 (three-step programming,简称TSP)及顺序意式概念(sequential sense concept ,简称SSC)是X4卓越表现的主要元素。 

X4 控制器科技是关键

X4 闪存突破性发展

此项重要发布距离SanDisk在2008国际固态电路大会上推出的X3 (3-bits-per-cell NAND)技术只有一年,并荣获该会议2009刘易斯优秀论文奖(Lewis Winner Outstanding Paper Award)。

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